| 品番 | IXTT26N60P |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 72nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4150pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 460W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268 |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
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IXTT02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 | 詳細 |
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IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | 詳細 |
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IXTT10N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | 詳細 |
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IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | 詳細 |
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IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | 詳細 |
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IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 | 詳細 |
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IXTT110N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | 詳細 |
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IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | 詳細 |
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IXTT11P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 | 詳細 |
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IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | 詳細 |
