• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTT10P50
IXTT10P50

IXTT10P50 - IXYS

品番
IXTT10P50
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTT10P50 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXTT10P50.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1807 pcs
参考価格
USD 15/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IXTT10P50

IXTT10P50 詳細な説明

品番 IXTT10P50
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 160nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4700pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 900 mOhm @ 5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 -
原産国 -

関連製品 IXTT10P50

画像 品番 メーカー 説明 見る
IXT-1-1N100S1 IXT-1-1N100S1 IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 詳細
IXT-1-1N100S1-TR IXT-1-1N100S1-TR IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 詳細
IXTA02N250 IXTA02N250 IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 詳細
IXTA02N250HV IXTA02N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 詳細
IXTA02N450HV IXTA02N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 詳細
IXTA05N100 IXTA05N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 詳細
IXTA05N100HV IXTA05N100HV IXYS MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 詳細
IXTA06N120P IXTA06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 詳細
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK 詳細
IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV IXYS MOSFET N-CH 詳細