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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTN210P10T
IXTN210P10T

IXTN210P10T - IXYS

品番
IXTN210P10T
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTN210P10T PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXTN210P10T.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
709 pcs
参考価格
USD 37.9935/pcs
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IXTN210P10T 詳細な説明

品番 IXTN210P10T
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 210A
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 740nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 69500pF @ 25V
Vgs（最大） ±15V
FET機能 -
消費電力（最大） 830W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 7.5 mOhm @ 105A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
重量 -
原産国 -

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