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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTK200N10P
IXTK200N10P

IXTK200N10P - IXYS

品番
IXTK200N10P
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTK200N10P PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2384 pcs
参考価格
USD 11.0044/pcs
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IXTK200N10P 詳細な説明

品番 IXTK200N10P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 200A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 500µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 240nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 7600pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 800W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 7.5 mOhm @ 100A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-264 (IXTK)
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA
重量 -
原産国 -

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