IXTK200N10P - IXYS

Numero di parte	IXTK200N10P
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-264 (IXTK)
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTK100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-264	Dettagli
IXTK102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A TO-264	Dettagli
IXTK102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264	Dettagli
IXTK110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 110A TO-264	Dettagli
IXTK110N30	IXYS	MOSFET N-CH 300V 110A TO-264	Dettagli
IXTK120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-264	Dettagli
IXTK120N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Dettagli
IXTK120N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 120A TO-264	Dettagli
IXTK120N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 120A TO-264	Dettagli
IXTK120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 120A TO-264	Dettagli