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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTH6N90
IXTH6N90

IXTH6N90 - IXYS

品番
IXTH6N90
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTH6N90 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3292 pcs
参考価格
USD 8.2533/pcs
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IXTH6N90 詳細な説明

品番 IXTH6N90
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 900V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 130nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2600pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 180W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.8 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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