IXTH2R4N120P

IXTH2R4N120P - IXYS

品番
IXTH2R4N120P
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4500 pcs
参考価格
USD 5.6827/pcs
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IXTH2R4N120P 詳細な説明

品番 IXTH2R4N120P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.4A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 37nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1207pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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