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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTA36N30P
IXTA36N30P

IXTA36N30P - IXYS

品番
IXTA36N30P
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTA36N30P PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1215 pcs
参考価格
USD 3.82/pcs
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IXTA36N30P 詳細な説明

品番 IXTA36N30P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 300V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 36A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 70nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2250pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 110 mOhm @ 18A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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