| 品番 | IXTA26P20P |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 56nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2740pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 170 mOhm @ 13A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 (IXTA) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | 詳細 |
|
IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | 詳細 |
|
IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | 詳細 |
|
IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | 詳細 |
 |
IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | 詳細 |
|
IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | 詳細 |
|
IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | 詳細 |
|
IXTA08N100D2HV | IXYS | MOSFET N-CH | 詳細 |
|
IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | 詳細 |
|
IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | 詳細 |
