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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTA180N085T7
IXTA180N085T7

IXTA180N085T7 - IXYS

品番
IXTA180N085T7
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTA180N085T7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXTA180N085T7.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3812 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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IXTA180N085T7 詳細な説明

品番 IXTA180N085T7
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 85V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 180A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 170nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 7500pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 430W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 5.5 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263-7 (IXTA..7)
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
重量 -
原産国 -

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