IXTA180N085T7

IXTA180N085T7 - IXYS

Numero di parte
IXTA180N085T7
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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IXTA180N085T7 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXTA180N085T7
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263-7 (IXTA..7)
Pacchetto / caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso -
Paese d'origine -

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