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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFY4N85X
IXFY4N85X

IXFY4N85X - IXYS

品番
IXFY4N85X
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFY4N85X PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
175 pcs
参考価格
USD 3.34/pcs
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IXFY4N85X 詳細な説明

品番 IXFY4N85X
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 850V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.5A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 247pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 150W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252 (IXFY)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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