IXFM35N30 - IXYS

品番	IXFM35N30
部品ステータス	Last Time Buy
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	300V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 4mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	200nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4800pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	300W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-204AE
パッケージ/ケース	TO-204AE
重量	-
原産国	-

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