• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFH80N10
IXFH80N10

IXFH80N10 - IXYS

品番
IXFH80N10
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFH80N10 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4285 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IXFH80N10

IXFH80N10 詳細な説明

品番 IXFH80N10
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 4mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 180nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4800pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 12.5 mOhm @ 40A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

関連製品 IXFH80N10

画像 品番 メーカー 説明 見る
IXF1002EC IXF1002EC LEVELONE IXF1002EC LEVELONE BGA New Original Stocks 詳細
IXF611P1 IXF611P1 IXYS IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP 詳細
IXF611S1 IXF611S1 IXYS IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC 詳細
IXF611S1T/R IXF611S1T/R IXYS IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC 詳細
IXFA102N15T IXFA102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK 詳細
IXFA10N60P IXFA10N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK 詳細
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 詳細
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK 詳細
IXFA12N50P IXFA12N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK 詳細
IXFA12N65X2 IXFA12N65X2 IXYS MOSFET N-CH 詳細