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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFH60N65X2
IXFH60N65X2

IXFH60N65X2 - IXYS

品番
IXFH60N65X2
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFH60N65X2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXFH60N65X2.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
52 pcs
参考価格
USD 9.52/pcs
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IXFH60N65X2 詳細な説明

品番 IXFH60N65X2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5.5V @ 4mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 107nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6180pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 780W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 52 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ -
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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