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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › IXDN55N120D1
IXDN55N120D1

IXDN55N120D1 - IXYS

品番
IXDN55N120D1
メーカー
IXYS
簡単な説明
IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXDN55N120D1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXDN55N120D1.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
860 pcs
参考価格
USD 32.24/pcs
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IXDN55N120D1 詳細な説明

品番 IXDN55N120D1
部品ステータス Active
IGBTタイプ NPT
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100A
電力 - 最大 450W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.8V @ 15V, 55A
電流 - コレクタ遮断（最大） 3.8mA
入力容量（Cies）@ Vce 3.3nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
重量 -
原産国 -

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