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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › IXDN55N120D1
IXDN55N120D1

IXDN55N120D1 - IXYS

Artikelnummer
IXDN55N120D1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXDN55N120D1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXDN55N120D1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
860 pcs
Referenzpreis
USD 32.24/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IXDN55N120D1

IXDN55N120D1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXDN55N120D1
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 450W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 55A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 3.8mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Gewicht -
Ursprungsland -

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