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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SPB100N04S2-04
SPB100N04S2-04

SPB100N04S2-04 - Infineon Technologies

品番
SPB100N04S2-04
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SPB100N04S2-04 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
SPB100N04S2-04.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3581 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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SPB100N04S2-04 詳細な説明

品番 SPB100N04S2-04
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 172nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 7220pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 3.3 mOhm @ 80A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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