• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SPB100N03S2L03T
SPB100N03S2L03T

SPB100N03S2L03T - Infineon Technologies

品番
SPB100N03S2L03T
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SPB100N03S2L03T PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
SPB100N03S2L03T.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4013 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください SPB100N03S2L03T

SPB100N03S2L03T 詳細な説明

品番 SPB100N03S2L03T
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 220nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8180pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

関連製品 SPB100N03S2L03T

画像 品番 メーカー 説明 見る
SPB10045E3 SPB10045E3 Microsemi Corporation DIODE MODULE 45V 100A SOT227 詳細
SPB100N03S2-03 SPB100N03S2-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 詳細
SPB100N03S2-03 G SPB100N03S2-03 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 詳細
SPB100N03S2-03G SPB100N03S2-03G I SPB100N03S2-03G I SOT404 New Original Stocks 詳細
SPB100N03S203T SPB100N03S203T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 詳細
SPB100N03S2L-03 SPB100N03S2L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 詳細
SPB100N03S2L-03 G SPB100N03S2L-03 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 詳細
SPB100N03S2L03T SPB100N03S2L03T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 詳細
SPB100N04S2-04 SPB100N04S2-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 詳細
SPB100N04S2L-03 SPB100N04S2L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 詳細