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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › IRG7CH30K10EF
IRG7CH30K10EF

IRG7CH30K10EF - Infineon Technologies

品番
IRG7CH30K10EF
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT CHIP WAFER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IRG7CH30K10EF PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IRG7CH30K10EF.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
21084 pcs
参考価格
USD 1.2213/pcs
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IRG7CH30K10EF 詳細な説明

品番 IRG7CH30K10EF
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 10A
電流 - コレクタパルス（Icm） -
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.56V @ 15V, 10A
電力 - 最大 -
スイッチングエネルギー -
入力方式 Standard
ゲートチャージ 4.8nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ 10ns/90ns
テスト条件 600V, 10A, 22 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） -
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤデバイスパッケージ Die
重量 -
原産国 -

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