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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › IRG7CH30K10EF
IRG7CH30K10EF

IRG7CH30K10EF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRG7CH30K10EF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT CHIP WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IRG7CH30K10EF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IRG7CH30K10EF.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
22040 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.2213/pcs
Notre prix
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IRG7CH30K10EF Description détaillée

Numéro d'article IRG7CH30K10EF
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 10A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.56V @ 15V, 10A
Puissance - Max -
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 4.8nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 10ns/90ns
Condition de test 600V, 10A, 22 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Die
Poids -
Pays d'origine -

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