品番 | IRF8306MTR1PBF |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23A (Ta), 140A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.35V @ 100µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 38nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4110pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | Schottky Diode (Body) |
消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 75W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.5 mOhm @ 23A, 10V |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MX |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MX |
重量 | - |
原産国 | - |