| Numero di parte | IRF8306MTR1PBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 140A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4110pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 23A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
| Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MX |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRF830 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 | Dettagli |
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