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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPW60R031CFD7XKSA1
IPW60R031CFD7XKSA1

IPW60R031CFD7XKSA1 - Infineon Technologies

品番
IPW60R031CFD7XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V TO247-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPW60R031CFD7XKSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
11080 pcs
参考価格
USD 14.86/pcs
私達の価格
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IPW60R031CFD7XKSA1 詳細な説明

品番 IPW60R031CFD7XKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 31 mOhm @ 32.6A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 1.63mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 141nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5623pF @ 400V
FET機能 -
消費電力（最大） 278W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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