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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPP60R090CFD7XKSA1
IPP60R090CFD7XKSA1

IPP60R090CFD7XKSA1 - Infineon Technologies

品番
IPP60R090CFD7XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
HIGH POWERNEW
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPP60R090CFD7XKSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
21135 pcs
参考価格
USD 7.79/pcs
私達の価格
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IPP60R090CFD7XKSA1 詳細な説明

品番 IPP60R090CFD7XKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 570µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 51nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2103pF @ 400V
FET機能 -
消費電力（最大） 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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