| Número de pieza | IPP60R090CFD7XKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 11.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 570µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2103pF @ 400V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | Detalles |
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IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | Detalles |
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IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Detalles |
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IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | Detalles |
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IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | Detalles |
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IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Detalles |
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IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Detalles |
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IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | Detalles |
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IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | Detalles |
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IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | Detalles |
