IPP111N15N3GXKSA1 - Infineon Technologies

品番	IPP111N15N3GXKSA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	150V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 160µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	55nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3230pF @ 75V
FET機能	-
消費電力（最大）	214W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO220-3
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	IPP111N15N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3	詳細
	IPP111N15N3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3	詳細