IPP111N15N3GXKSA1 Descripción detallada
Número de pieza |
IPP111N15N3GXKSA1 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
83A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
11.1 mOhm @ 83A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 160µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
55nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
3230pF @ 75V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
214W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
PG-TO220-3 |
Paquete / caja |
TO-220-3 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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