IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPG20N10S4L35AATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 8TDSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
54759 pcs
参考価格
USD 0.4701/pcs
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IPG20N10S4L35AATMA1 詳細な説明

品番 IPG20N10S4L35AATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.1V @ 16µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 17.4nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1105pF @ 25V
電力 - 最大 43W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-10
重量 -
原産国 -

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