IPG20N10S4L35AATMA1 Description détaillée
Numéro d'article |
IPG20N10S4L35AATMA1 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
2 N-Channel (Dual) |
FET Caractéristique |
Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) |
100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
35 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.1V @ 16µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
17.4nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
1105pF @ 25V |
Puissance - Max |
43W |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
8-PowerVDFN |
Package de périphérique fournisseur |
PG-TDSON-8-10 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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