IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1 - Infineon Technologies

品番
IPD060N03LGBTMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
79647 pcs
参考価格
USD 0.3276/pcs
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IPD060N03LGBTMA1 詳細な説明

品番 IPD060N03LGBTMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 50A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 30nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2300pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 56W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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