IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPD060N03LGBTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
New
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78609 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3276/pcs
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IPD060N03LGBTMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPD060N03LGBTMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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