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IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1 - Infineon Technologies

品番: IPC50N04S55R8ATMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IPC50N04S55R8ATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: IPC50N04S55R8ATMA1.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 12500 pcs
参考価格: USD 0.2945/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IPC50N04S55R8ATMA1 詳細な説明

品番	IPC50N04S55R8ATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	50A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	7V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.4V @ 13µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	18nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1090pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	42W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	5.8 mOhm @ 25A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
重量	-
原産国	-

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