IPB038N12N3GATMA1 - Infineon Technologies

品番	IPB038N12N3GATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	120V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	3.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 270µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	211nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	13800pF @ 60V
FET機能	-
消費電力（最大）	300W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	IPB038N12N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3	詳細
	IPB038N12N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3	詳細