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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FP30R06W1E3B11BOMA1
FP30R06W1E3B11BOMA1

FP30R06W1E3B11BOMA1 - Infineon Technologies

品番
FP30R06W1E3B11BOMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT MODULE VCES 600V 30A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FP30R06W1E3B11BOMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4780 pcs
参考価格
USD 34.44542/pcs
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FP30R06W1E3B11BOMA1 詳細な説明

品番 FP30R06W1E3B11BOMA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Three Phase Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 37A
電力 - 最大 115W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2V @ 15V, 30A
電流 - コレクタ遮断（最大） 1mA
入力容量（Cies）@ Vce 1.65nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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