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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FP30R06W1E3B11BOMA1
FP30R06W1E3B11BOMA1

FP30R06W1E3B11BOMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FP30R06W1E3B11BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 600V 30A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FP30R06W1E3B11BOMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4780 pcs
Referenzpreis
USD 34.44542/pcs
Unser Preis
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FP30R06W1E3B11BOMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FP30R06W1E3B11BOMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 37A
Leistung max 115W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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