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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FF200R12KT3HOSA1
FF200R12KT3HOSA1

FF200R12KT3HOSA1 - Infineon Technologies

品番
FF200R12KT3HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FF200R12KT3HOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1555 pcs
参考価格
USD 105.762/pcs
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FF200R12KT3HOSA1 詳細な説明

品番 FF200R12KT3HOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 2 Independent
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） -
電力 - 最大 1050W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.15V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 14nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 125°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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