• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FF200R12KS4PHOSA1
FF200R12KS4PHOSA1

FF200R12KS4PHOSA1 - Infineon Technologies

品番
FF200R12KS4PHOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOD IGBT MED PWR 62MM-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FF200R12KS4PHOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1290 pcs
参考価格
USD 127.49625/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください FF200R12KS4PHOSA1

FF200R12KS4PHOSA1 詳細な説明

品番 FF200R12KS4PHOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 275A
電力 - 最大 1400W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 3.7V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 13nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 125°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

関連製品 FF200R12KS4PHOSA1

画像 品番 メーカー 説明 見る
FF200R06KE3HOSA1 FF200R06KE3HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE 600V 200A 詳細
FF200R12KE3 FF200R12KE3 INFINEON FF200R12KE3 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks 詳細
FF200R12KE3B2HOSA1 FF200R12KE3B2HOSA1 Infineon Technologies MOD IGBT MED PWR 62MM-1 詳細
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A 詳細
FF200R12KE4HOSA1 FF200R12KE4HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE 1200V 200A 詳細
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies MOD IGBT MED PWR 62MM-1 詳細
FF200R12KS4 FF200R12KS4 INFINEON FF200R12KS4 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks 詳細
FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A 詳細
FF200R12KS4PHOSA1 FF200R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies MOD IGBT MED PWR 62MM-1 詳細
FF200R12KT3 FF200R12KT3 INFINEON FF200R12KT3 INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks 詳細