BSO613SPVGHUMA1 - Infineon Technologies

品番	BSO613SPVGHUMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3.44A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	130 mOhm @ 3.44A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	30nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	875pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.5W (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-DSO-8
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量	-
原産国	-

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