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BSO612CVGHUMA1 - Infineon Technologies

品番: BSO612CVGHUMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: BSO612CVGHUMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 63670 pcs
参考価格: USD 0.4272/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

BSO612CVGHUMA1 詳細な説明

品番	BSO612CVGHUMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N and P-Channel
FET機能	Standard
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3A, 2A
Rds On（Max）@ Id、Vgs	120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 20µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	15.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	340pF @ 25V
電力 - 最大	2W
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ	PG-DSO-8
重量	-
原産国	-

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