BSF030NE2LQXUMA1 - Infineon Technologies

品番	BSF030NE2LQXUMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	25V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	24A (Ta), 75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	23nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1700pF @ 12V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.2W (Ta), 28W (Tc)
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース	3-WDSON
重量	-
原産国	-

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	BSF030NE2LQ	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2	詳細
	BSF030NE2LQXUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2	詳細