BSF030NE2LQXUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	BSF030NE2LQXUMA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	24A (Ta), 75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.2W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / cas	3-WDSON
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	BSF030NE2LQ	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2	Détails
	BSF030NE2LQXUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2	Détails