品番 | HTNFET-T |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 55V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.4V @ 100µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 4.3nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 290pF @ 28V |
Vgs(最大) | 10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 50W (Tj) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
動作温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-Power Tab |
パッケージ/ケース | 4-SIP |
重量 | - |
原産国 | - |