| 品番 | HTNFET-D |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 55V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.4V @ 100µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 290pF @ 28V |
| Vgs（最大） | 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 50W (Tj) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-CDIP-EP |
| パッケージ/ケース | 8-CDIP Exposed Pad |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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HTN4A60S | EXSHINE | NON INSULATED TYPE TRIAC | 詳細 |
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HTNFET-D | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | 詳細 |
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HTNFET-DC | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | 詳細 |
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HTNFET-T | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | 詳細 |
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HTNFET-TC | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | 詳細 |
