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GP2M005A060CG - Global Power Technologies Group

品番: GP2M005A060CG
メーカー: Global Power Technologies Group
簡単な説明: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: GP2M005A060CG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: GP2M005A060CG.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 4398 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

GP2M005A060CG 詳細な説明

品番	GP2M005A060CG
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4.2A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	14nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	658pF @ 25V
Vgs（最大）	±30V
FET機能	-
消費電力（最大）	98.4W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D-Pak
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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