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GP2M004A060PG - Global Power Technologies Group

品番: GP2M004A060PG
メーカー: Global Power Technologies Group
簡単な説明: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: GP2M004A060PG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: GP2M004A060PG.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 8490 pcs
参考価格: USD 1.51/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

GP2M004A060PG 詳細な説明

品番	GP2M004A060PG
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	12nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	545pF @ 25V
Vgs（最大）	±30V
FET機能	-
消費電力（最大）	86.2W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	I-Pak
パッケージ/ケース	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量	-
原産国	-

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