GP2M004A060PG

GP2M004A060PG - Global Power Technologies Group

品番
GP2M004A060PG
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
8490 pcs
参考価格
USD 1.51/pcs
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GP2M004A060PG 詳細な説明

品番 GP2M004A060PG
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 545pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 86.2W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 -
原産国 -

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