• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - アレイ › MURTA20060
MURTA20060

MURTA20060 - GeneSiC Semiconductor

品番
MURTA20060
メーカー
GeneSiC Semiconductor
簡単な説明
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MURTA20060 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
MURTA20060.pdf
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
328 pcs
参考価格
USD 78.9011/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください MURTA20060

MURTA20060 詳細な説明

品番 MURTA20060
部品ステータス Active
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 600V
電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） 100A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 1.7V @ 100A
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） -
電流 - 逆リーク（Vr） 25µA @ 600V
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Three Tower
サプライヤデバイスパッケージ Three Tower
重量 -
原産国 -

関連製品 MURTA20060

画像 品番 メーカー 説明 見る
MURT10005 MURT10005 GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER 詳細
MURT10005R MURT10005R GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER 詳細
MURT10010 MURT10010 GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER 詳細
MURT10010R MURT10010R GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER 詳細
MURT10020 MURT10020 GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER 詳細
MURT10020R MURT10020R GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER 詳細
MURT10040 MURT10040 GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER 詳細
MURT10040R MURT10040R GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER 詳細
MURT10060 MURT10060 GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER 詳細
MURT10060R MURT10060R GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER 詳細