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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Array › MURTA20060
MURTA20060

MURTA20060 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
MURTA20060
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MURTA20060 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
MURTA20060.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
328 pcs
Prezzo di riferimento
USD 78.9011/pcs
Il nostro prezzo
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MURTA20060 Descrizione dettagliata

Numero di parte MURTA20060
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 100A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 100A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 600V
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower
Peso -
Paese d'origine -

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