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MBR20030CTR - GeneSiC Semiconductor

品番: MBR20030CTR
メーカー: GeneSiC Semiconductor
簡単な説明: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: MBR20030CTR PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: MBR20030CTR.pdf
カテゴリー: ダイオード - 整流器 - アレイ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 535 pcs
参考価格: USD 49.3132/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

MBR20030CTR 詳細な説明

品番	MBR20030CTR
部品ステータス	Active
ダイオード構成	1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ	Schottky
電圧 - DC逆（Vr）（最大）	30V
電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり）	200A (DC)
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If	650mV @ 100A
速度	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr）	-
電流 - 逆リーク（Vr）	5mA @ 20V
動作温度 - ジャンクション	-55°C ~ 150°C
取付タイプ	Chassis Mount
パッケージ/ケース	Twin Tower
サプライヤデバイスパッケージ	Twin Tower
重量	-
原産国	-

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