IRLW630ATM

IRLW630ATM - Fairchild/ON Semiconductor

品番
IRLW630ATM
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4207 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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IRLW630ATM 詳細な説明

品番 IRLW630ATM
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 27nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 755pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 -
原産国 -

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